8月1日，英伟达（NVIDIA）官网更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科是本次入选英伟达合作伙伴中唯一的中国芯片企业。这意味着双方正式达成深度合作，双方将携手推动800V直流（800 VDC）电源架构在AI数据中心的规模化应用。此次合作将单机房算力密度将提升10倍以上，助力单机柜功率密度突破300kW，推动全球AI数据中心正式迈入兆瓦级供电时代。
算力功耗翻倍倒逼供电革命 AI数据中心千亿改造市场启动
随着AI大模型的蓬勃发展与高性能计算集群规模的迅猛扩张，AI集群算力功耗呈现指数级攀升。根据Gartner预测，2027年全球AIDC年新增耗电量将达500TWh，较2024年几乎翻倍，电力成本占数据中心总运营支出的40%以上。传统54V低压架构在单机柜功率超200kW时遭遇物理极限，传统供电架构已难以负荷高密度算力集群的庞大能源需求，效率瓶颈与能耗压力成为阻碍AI产业迈向新高度的核心制约因素。
英伟达主导的800 VDC架构通过两大变革破解困局：
行业预测，未来3-5年该技术将带动数据中心供电系统改造市场达千亿规模，渗透率有望突破35%。
算力与能源的剪刀差挑战 氮化镓成为关键赋能者
当前AI训练集群单GPU功耗突破10kW，英伟达Rubin Ultra等下一代平台更将机柜总功率推至600kW以上。传统硅基器件因开关频率低、耐压能力弱，难以支撑高功率密度下的高效电能转换。作为第三代半导体核心材料，氮化镓（GaN）凭借独特性能成为800V架构的理想载体：
1、高压适配性：3.4eV禁带宽度（硅材料的3倍），在800V高压环境依然能保持稳定性；
2、能效跃升：电子迁移率达硅器件3倍，能源转换损耗降低30%，峰值效率突破98%；
3、空间压缩：相同功率下体积仅为硅器件的1/5-1/3，功率密度提升至92．4W/cm³，机房占地面积可缩减40%，在AI数据中心的有限机房及机柜空间内塞入更多供电模块，支撑更高密度的算力集群。对于追求极致能效与紧凑设计的新一代AI供电系统而言，氮化镓成为突破传统供电方案技术瓶颈的最佳材料方案。
IDM全链护城河 英诺赛科定义供电新范式
此次英伟达优选英诺赛科作为核心合作伙伴，更多看重其从衬底、外延、芯片设计到封装测试的IDM全链优势：
1、工艺制造能力：自主研发的8英寸GaN-on-Si量产线，良率达95%以上，推动成本下降40%，是目前业界最先进的生产线之一，产能居行业首位；
2、技术领先性：第三代GaN器件高频效率达98.5%，支持15V-1200V全电压场景；
3、方案创新：高压/中压/低压三级DC-DC转换架构，系统性提升整体转换效率，实现从电网到GPU的端到端的高效传输。
“技术+产能+服务”的强大综合实力，使英诺赛科成为推动氮化镓技术在英伟达AI数据中心新一代供电架构方案落地的理想合作伙伴，成为此次合作的核心技术支撑者。
绿色算力时代 英诺赛科或将迎来爆发式增长周期
通过本次合作，英诺赛科为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，其技术路径已获微软、谷歌等科技巨头跟进。英诺赛科的IDM模式与工程化能力，正加速800V高压直流从技术蓝图转化为产业标准。
此次英伟达与英诺赛科的深度合作，将定义下一代AI基础设施的供电标准，也是绿色算力时代的里程碑。随着800 VDC架构的规模化落地，预计将使数据中心总能耗降低20%-30%，年减碳数千万吨，同时机房空间需求缩减40%。
在WAIC 2025“高效、智能、绿色”的主题下，这场由供电技术引发的能效革命，正为全球AI产业的可持续发展注入新动能。
